1988年16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段。

现代发展1989年1Mb DRAM进入市场。

1989年486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺。

1992年64M位随机存储器问世。

1993年66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺。

1995年Pentium Pro，133MHz，采用0.6-0.35μm工艺。

1997年300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺。

1999年奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺。

2000年1Gb RAM投放市场。

2000年奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺。

2001年英特尔宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

2003年奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。

2005年英特尔酷睿2系列上市，采用65nm工艺。

2007年基于全新45纳米High-K工艺的英特尔酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年英特尔酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。

中国的集成电路产业诞生于20世纪60年代，经历了从计算机和军工配套到消费类整机配套的转变，并在90年代通过908工程和909工程取得了新的发展。

继续遵循摩尔定律尽管面临物理极限的挑战，半导体行业仍在寻找新的技术突破，以维持摩尔定律的发展趋势。

新材料和新工艺如高介电常数材料（High-K）、金属栅极（Metal Gate）和三维晶体管结构（如FinFET）等，这些技术有助于进一步提高晶体管的性能和降低功耗。

系统级集成（System-on-Chip, SoC）将多个功能模块集成到单个芯片上，实现更高的集成度和更低的功耗。

异构集成（Heterogeneous Integration）结合不同的半导体技术和材料，实现更复杂的功能和更高的性能。

量子计算和神经形态计算探索新的计算范式，以应对传统计算架构的局限性。